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α=2.61*(f*ε)^0.5*(K2*Kρ1/d+Kb*Kρ2/D)*10^(-3)/lg((D+1.5*dw)/(K1*d))+9.10*f*ε^0.5*tgδ*10^(-5)(分貝/公里)
f:頻率(Hz)
ε:絕緣相對(duì)介電常數(shù)(實(shí)心PE - 2.3;PVC - 5~7;Nylon - 3.5;Paper - 2.0~2.6;PP - 2.6;FEP - 2~2.2;空氣 - 1.0)
D:絕緣外徑(mm)
d:內(nèi)導(dǎo)體直徑(mm)
tgδ:絕緣介質(zhì)損耗角正切值(空氣 - 0;PE - 0.0005;PVC - 0.05;FEP - 0.0002;Nylon - 0.009;PP - 0.0007)
K1:內(nèi)導(dǎo)體直徑系數(shù)
K2:內(nèi)導(dǎo)體衰減的絞線系數(shù)
Kb:外導(dǎo)體為編織是引起高頻電阻增大的編織效應(yīng)系數(shù) = 1.5+0.083*D
Kρ1:內(nèi)導(dǎo)體相對(duì)于國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)軟銅的高頻電阻增大或減小的系數(shù)
Kρ2:外導(dǎo)體相對(duì)于國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)軟銅的高頻電阻增大或減小的系數(shù)
dw:編織用導(dǎo)線直徑(mm)
第一項(xiàng)為金屬損耗造成的衰減,第二項(xiàng)為介質(zhì)損耗造成的衰減,頻率超過(guò)幾兆赫時(shí)不大于總衰減的1%。
當(dāng)頻率超過(guò)幾十兆赫時(shí),導(dǎo)體表面發(fā)生氧化會(huì)產(chǎn)生一種新的損耗--視在介質(zhì)損耗,氧化層很薄(約幾微米),頻率低時(shí)(幾兆赫以下),電流透入深度(見(jiàn)相關(guān)帖子)有幾十微米,電流在氧化層流通的部分較小,氧化產(chǎn)生的影響不大;但頻率高于幾十兆赫時(shí),投入深度較小,大部分電流在氧化層傳輸,氧化層的電阻率大于導(dǎo)體,使衰減增大,因此要盡可能的消除金屬氧化。
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樓主,很遺憾,這分資料論壇里有過(guò)好幾份了,沒(méi)有一點(diǎn)變化,請(qǐng)管理員刪除.節(jié)約網(wǎng)絡(luò)資源.
我這里有一份,IEC標(biāo)準(zhǔn)-96<射頻電纜>第0部分:"詳細(xì)規(guī)范設(shè)計(jì)指南".因該是最權(quán)威的了,從1946年7月到現(xiàn)在都沒(méi)有改變過(guò).上面的關(guān)于衰減的計(jì)算公式其參數(shù)要比你這個(gè)多很多,而且是可以根據(jù)材料不同查詢的到的!和實(shí)際生產(chǎn)擬合非常好.任何結(jié)構(gòu)有改變都可以反映出來(lái),只是太煩瑣,EXCEL功底不夠的,比較困難得到.
樓主如果真是有心人,那么請(qǐng)告訴我們:Kρ1:內(nèi)導(dǎo)體相對(duì)于國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)軟銅的高頻電阻增大或減小的系數(shù)Kρ2:外導(dǎo)體相對(duì)于國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)軟銅的高頻電阻增大或減小的系數(shù),分別是什么值?或者具體到材料的取值問(wèn)題,若答案有實(shí)用價(jià)值,可以使計(jì)算簡(jiǎn)化,我可以用100G交換,不甚感謝!
[xiaoyu8161 在 2007-8-15 19:38:51 編輯過(guò)]
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