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內導體外徑d=2.27mm
設,絕緣外徑為D
C=2.23*10-3/[18ln(A/1.27)]
條件:C=55.8,用上面公式計算A=11.6967mm=2.414D
可得D=4.845
分析上面計算的環(huán)境:
以上計算均假設在理想情況下,即計算單根絕緣線與屏蔽之間的電容時,導體與屏蔽之間充滿電介質,但實際情況;單根絕緣線在屏蔽內螺旋上升,在導體和屏蔽之間存在其他絕緣層和空氣的干擾(其實就是假定導體為1.27,介電常數(shù)為2.23的同軸電纜計算了)
建立另外一種模型:
根據(jù)電容計算基本公式C=介電常數(shù)*S/4πkd可知,可以建立另一個同軸電纜的模型
模型中心是1.27的導體
導體與屏蔽之間充滿電介質,當然這里的電介質是等效電介質,計算公式:E=(E1*S1+E2*S2)/(S1+S2)
計算后E=1.836
仍然按照上面的公式計算:屏蔽體直徑大約8mm,絕緣直徑大約3.31mm
上午的計算有沒考慮周到的地方,下午和同事商量了一下
可能還會有錯誤,計算方法只供參考,并且歡迎指點
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這個我認為,在計算線與屏蔽時候應該可以等效為同軸計算,原因如下:
1.根據(jù)電容的計算公式:C=介電常數(shù)*S/4πkd,可知導線在屏蔽中的任何位置都可以等效為中心位置
2. 導體 絕緣 屏蔽 導體 絕緣 屏蔽 導體 絕緣 屏蔽 導體 絕緣 屏蔽 導體 絕緣 屏蔽 導體 絕緣 屏蔽<DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV> <DIV>
具體其他銅導體對導線的影響我也不是很清楚,在位置比較分散的情況下影響應該不大
有不對的地方還請指教
