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這個(gè)放電量標(biāo)準(zhǔn)是中壓電力電纜產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試要求，至于為何定為10PC，還真沒(méi)有考慮過(guò)，跟著了解一下

電力電纜試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)GB 12706 - 1991 規(guī)定了35kV 及以下交聯(lián)電纜在45 kV 工頻試驗(yàn)電壓下,局部放電量(以下簡(jiǎn)稱局放) 應(yīng)小于20 pC ,而GB/ T 12706- 2002 規(guī)定局放量應(yīng)小于10 pC ,可見(jiàn)要求越來(lái)越高,局放量越來(lái)越小,這反應(yīng)了隨著制造技術(shù)的發(fā)展對(duì)電纜的質(zhì)量要求也越來(lái)越高。

據(jù)日本的研究報(bào)道,817/ 10 電纜在1.5U0 (運(yùn)行相電壓) 下的局部放電量,微孔尺寸200μm 時(shí)為0.4 pC ,400μm 時(shí)為3.4 pC ,700 μm 時(shí)為20pC。也就是說(shuō),如按原標(biāo)準(zhǔn)1.5U0 下局部放電量為20pC 的出廠試驗(yàn)指標(biāo)考核,就可能將含700μm 微孔的電纜作為合格品出廠。目前最先進(jìn)的電纜線路局放檢測(cè)系統(tǒng)的靈敏度只能達(dá)到0.5 pC 級(jí) ,況且該指標(biāo)也只是視在放電量�？梢�(jiàn),現(xiàn)有局放檢測(cè)指標(biāo)對(duì)檢測(cè)< 200μm 的微孔已不夠靈敏。而包含數(shù)十及數(shù)百μm 微孔的絕緣品質(zhì)不能滿足高壓及超高壓電纜線路的可靠性要求�，F(xiàn)場(chǎng)多次報(bào)道運(yùn)行幾年至十幾年含有數(shù)十及數(shù)百μm的雜質(zhì)或水樹(shù)(一種特殊的“微孔”或雜質(zhì)) 的各種電壓等級(jí)電纜線路發(fā)生擊穿故障。

根據(jù)巴申定律:如果微孔尺寸< 1 μm ,因路徑太短不可能局部放電。目前實(shí)際電纜制造水平可達(dá)5～20μm。故局放還可能存在,只是局放量很小,按現(xiàn)有檢測(cè)技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)已無(wú)法測(cè)到。為更準(zhǔn)確地檢測(cè)交聯(lián)電纜,新版的交聯(lián)電纜產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)改變很大。各電壓等級(jí)交聯(lián)電纜的IEC 標(biāo)準(zhǔn)最新版本和相應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)修改后的局放性能指標(biāo)更嚴(yán)格: ①中低壓電纜:出廠試驗(yàn)由原來(lái)的1.5U0 下局放量< 20pC ,改為1.73U0 下< 10 pC ;型式試驗(yàn)由1.5U0 下局放量< 20 pC ,改為1.73U0 下< 5 pC; ②高壓電纜:出廠、型式試驗(yàn)不變; ③超高壓電纜:出廠試驗(yàn)規(guī)定1.5U0 下,在10 pC 或更低背景噪聲靈敏度下無(wú)
可分辨的局放;型式試驗(yàn)規(guī)定1.5U0 下,在5 pC 或更低背景噪聲靈敏度下無(wú)可分辨的局放;一些先進(jìn)國(guó)家(德國(guó)、瑞士) 的局放試驗(yàn)指標(biāo)達(dá)到2U0 下< 5pC ,美國(guó)達(dá)到3U0 下< 5 pC ,4U0 下< 10 pC 等。

以上摘自期刊文獻(xiàn)資料

以上資料  只是反映了局放和微孔尺寸間的關(guān)系 ，其實(shí)缺陷不止微孔一種。

所以， 為了提高質(zhì)量， 有些廠家已經(jīng)在提高測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，以比國(guó)標(biāo)更嚴(yán)格要求來(lái)保證產(chǎn)品的質(zhì)量。

從檢測(cè)的角度， 要了解不是局放低于10PC就萬(wàn)事大吉， 要知道只要檢測(cè)到局放說(shuō)明電纜內(nèi)部有缺陷存在 ，、

如果能夠通過(guò)檢測(cè)反映出來(lái)的數(shù)據(jù) ，在許可條件下，進(jìn)一步  優(yōu)化產(chǎn)品生產(chǎn)工藝提高產(chǎn)品質(zhì)量，對(duì)各方都有非常積極的意義。

這也是我在一個(gè)帖子里咨詢大家目前廠里局放測(cè)試系統(tǒng)的背景干擾情況。大家不應(yīng)該小于5pc就滿足， 應(yīng)該盡可能降低背景噪聲干擾 

據(jù)日本有關(guān)研究報(bào)道,22 kV 交聯(lián)電纜的微孔尺寸> 10μm 時(shí),工頻擊穿電壓Ub 開(kāi)始下降, >100μm 時(shí)Ub 下降一半以上;另外,半導(dǎo)電層表面的突起對(duì)Ub 下降的影響比微孔雜質(zhì)更大。

為此,新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)絕緣缺陷的檢測(cè)更嚴(yán)格。雖然IEC 標(biāo)準(zhǔn)未要求,但我國(guó)參照美國(guó)AEIC 標(biāo)準(zhǔn)作為型式試驗(yàn)項(xiàng)目列入了國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),而美國(guó)等先進(jìn)國(guó)家的標(biāo)準(zhǔn)還將這些檢測(cè)項(xiàng)目列作出廠試驗(yàn)項(xiàng)目。新版AEIC 標(biāo)準(zhǔn)及相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)修訂稿提高了對(duì)絕緣缺陷的尺寸要求。如110 kV 級(jí)電纜由無(wú)> 76μm 的微孔提高為無(wú)> 50μm 的微孔,其它指標(biāo)也都相應(yīng)提高,因交聯(lián)電纜產(chǎn)品(本體及附件) 的質(zhì)量特別其長(zhǎng)期性能,本質(zhì)上是由絕緣缺陷的尺寸決定。
另外,耐壓試驗(yàn)指標(biāo)也更加嚴(yán)格,中低壓電纜出廠試驗(yàn)由原來(lái)的2.5U0 改為3.5U0 ,型式試驗(yàn)由原來(lái)的3U0 ,4 h ,改為4U0 ,4 h

以上摘自期刊文獻(xiàn)資料

另外要注意視在放電量和實(shí)際放電量的區(qū)別， 我們測(cè)到的是視在放電量， 實(shí)際放電量是不可測(cè)的，而對(duì)于電纜來(lái)說(shuō)兩者有非常大的區(qū)別，簡(jiǎn)單示例如下（公式這里寫(xiě)起來(lái)比較復(fù)雜，算得過(guò)程不寫(xiě)了，不一定準(zhǔn)確，僅供參考）：

同一體積的缺陷,在不同的絕緣厚度中,所受場(chǎng)強(qiáng)相同的前提下,表征的視在放電量相差很大的。如果按照GB1101722002 中規(guī)定的微孔不大于0. 05 mm 的要求,假設(shè)110 kV 的絕緣厚度為17 mm ,則可得出300 Cb≈ Cg , k≈1/300 ,即我們所測(cè)試到的放電量只是真正放電量的1/300。微孔越小,其k 越小。理論上來(lái)講如果所測(cè)得的放電量為1pC時(shí),真正的內(nèi)部放電量大約在300pC。

這也是為什么我們對(duì)電纜的局放要求定的這么高的原因之一。而且隨著電壓等級(jí)越高，局放要求越高

再想不明白就想想為什么1+1=2行了

呵呵~~

謝謝了哦

不錯(cuò)

很值得學(xué)習(xí)