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典型范圍:PTFE的熔點為327℃,但實際燒結(jié)溫度需高于熔點以實現(xiàn)分子鏈的擴散和粘結(jié)。
推薦區(qū)間:通常為 350~380℃(針對1mm線徑)。
溫度過低(<350℃):熔封不徹底,薄膜粘結(jié)力不足,易剝離。
溫度過高(>400℃):PTFE可能分解(起始分解溫度約400℃),導(dǎo)致性能劣化(如脆化、變色)。
設(shè)備校準:建議使用紅外測溫儀或接觸式熱電偶驗證實際溫度,避免烘箱/燒結(jié)爐溫度偏差。
參考值:1mm線徑的導(dǎo)線通常需要 5~15分鐘(具體時間需結(jié)合溫度調(diào)整)。
時間不足:薄膜層間粘結(jié)不充分,表現(xiàn)為易剝離。
時間過長:可能導(dǎo)致PTFE過度燒結(jié),影響柔韌性或絕緣性能。
外觀檢查:
表面應(yīng)光滑均勻,無氣泡或明顯分層。若薄膜可完整剝除且僅部分黏連,表明熔封不充分。
剝離測試:
合格的熔封應(yīng)使薄膜難以完整剝離,強行剝離時出現(xiàn)纖維狀斷裂或基材損傷(而非界面分離)。
電氣性能測試:
通過耐壓測試(如1kV DC/1min)或絕緣電阻測量驗證熔封后的絕緣完整性。
截面顯微觀察:
金相顯微鏡下觀察截面,理想狀態(tài)應(yīng)顯示薄膜層間無明顯縫隙,界面融合。
溫度/時間不足:燒結(jié)未達到PTFE的充分熔融狀態(tài),導(dǎo)致粘結(jié)力弱。
薄膜預(yù)處理問題:半定向薄膜若未經(jīng)電暈處理或表面清潔不足,可能影響層間粘結(jié)。
冷卻速率不當:過快冷卻可能導(dǎo)致內(nèi)應(yīng)力,影響粘結(jié)強度。
工藝試驗:在350~380℃范圍內(nèi)梯度測試(如10℃間隔),結(jié)合剝離強度和電氣性能確定最佳參數(shù)。
環(huán)境控制:燒結(jié)過程建議在潔凈環(huán)境中進行,避免粉塵污染界面。
材料驗證:檢查PTFE薄膜的規(guī)格(如密度、結(jié)晶度),不同廠商材料可能需調(diào)整工藝。
若需進一步精確控制,可考慮差示掃描量熱法(DSC)分析薄膜的實際熔融行為,或與材料供應(yīng)商協(xié)作獲取針對性參數(shù)。
上面是Deepseek查到的,可以參考一下~
