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請問國內(nèi)有哪些檢測機構(gòu)可以測試同軸電纜的屏蔽衰減？有些客戶寫著屏蔽 120DB， 這個指的詳細的意思是什么？ 請各位大蝦賜教！

同軸電纜的屏蔽衰減是電纜一個重要的電氣性能指標，但因很多廠家不具備測量手段，而經(jīng)常被廠家所忽視。本文從理論的角度，對該參數(shù)進行分析，解釋，使廣大技術(shù)人員對此參數(shù)有較為初步的了解。
同軸電纜的外導(dǎo)體，不僅是傳輸回路的一根導(dǎo)線，同時又具有屏蔽作用。外導(dǎo)體結(jié)構(gòu)直接影響屏蔽效果。管狀外導(dǎo)體結(jié)構(gòu)雖然具有良好的屏蔽性能，但不易彎曲，使用不方便。編織外導(dǎo)體結(jié)構(gòu)柔軟，但易向外輻射電磁能，也易受外界電磁場的影響。所以尋找一種行之有效的屏蔽結(jié)構(gòu)至關(guān)重要。

　　電纜屏蔽性能的好壞常用屏蔽系數(shù)、屏蔽衰減、轉(zhuǎn)移阻抗等指標來反映。下面就分別予以闡述。

1.屏蔽系數(shù)
屏蔽系數(shù)定義為有屏蔽護套的縱向感應(yīng)場強E2和沒有屏蔽護套的縱向感應(yīng)場強E1之比，即
式中E1-------沒有屏蔽層時護套表面的縱向感應(yīng)場強
E2-------有屏蔽層時護套表面的縱向感應(yīng)場強
屏蔽系數(shù)越小越好，k=1是無屏蔽作用情況，k=0表示屏蔽最佳情況。

2.屏蔽衰減
屏蔽衰減定義為電纜內(nèi)部信號功率P1和輻射到電纜外部最大功率P2max之比的對數(shù)值，用分貝表示，即

國家標準GB/T17737.1------2000射頻電纜第一部分：總規(guī)范-------總則、定義、要求和試驗方法中對屏蔽衰減有嚴格的實驗方法-------吸收鉗法。

3. 轉(zhuǎn)移阻抗
隨著屏蔽理論的發(fā)展，提出了轉(zhuǎn)移阻抗的概念。
轉(zhuǎn)移阻抗定義為在單位長度的電纜中，從被干擾系統(tǒng)中沿屏蔽層測得電壓U與干擾系統(tǒng)中流過的電流I之比，用Ω/m表示。
Ω/m
U-----電纜屏蔽層表面測得的電壓
I-----干擾系統(tǒng)中流過的電流
如果干擾系統(tǒng)中流過的電流不變，在電纜屏蔽表面測得的電壓越小，即轉(zhuǎn)移阻抗越低，則屏蔽質(zhì)量越好，屏蔽效率越高。

4. 轉(zhuǎn)移導(dǎo)納
轉(zhuǎn)移導(dǎo)納定義為在單位長度中，被干擾系統(tǒng)中流過的電流I與規(guī)定的干擾系統(tǒng)中產(chǎn)生上述電流的電壓之比，用S/m表示。轉(zhuǎn)移導(dǎo)納是個比較抽象的概念，我們通常用屏蔽衰減來描述屏蔽的好壞。

　　下面就簡單地闡述一下屏蔽的幾種形式。從中找出提高屏蔽衰減的途徑。

　　屏蔽的形式很多，管狀外導(dǎo)體、單層編織、雙層編織、一層復(fù)合鋁箔和一層銅線編織、雙層編織中間加一層半導(dǎo)電層、雙層編織中間加一層復(fù)合鋁箔、雙層編織中間加一層高μ合金帶。

　　管狀外導(dǎo)體雖然屏蔽性能非常好，但不易彎曲，使用不方便。單層編織的屏蔽效率最差。雙層編織比一層編織的轉(zhuǎn)移阻抗減少3倍，可見雙層編織的屏蔽效果比單層有了很大的改善。雙層編織中間若加入一層復(fù)合鋁箔，其內(nèi)部感應(yīng)電壓將比雙層編織降低25%，但這種結(jié)構(gòu)的成本有所增加。另外一種結(jié)構(gòu)為在兩層編織中間加入一層半導(dǎo)電層，這種屏蔽結(jié)構(gòu)其內(nèi)部感應(yīng)電壓比雙層編織將低50%，但因為增加了半導(dǎo)電層，電纜尺寸增大，成本也相應(yīng)增加。超屏蔽電纜是在雙層編織中間加一層高μ合金帶作為屏蔽，高μ合金帶高導(dǎo)磁率的鎳、鐵金屬帶。這種電纜制造成本很高，因此只能在要求特別高的情況下使用。

　　綜上所述，使用怎樣的屏蔽結(jié)構(gòu)，要根據(jù)具體使用情況而定。當屏蔽結(jié)構(gòu)確定后，若要提高屏蔽衰減，則要從以下兩方面入手：1.從材料入手，通過改變編織絲的材料、形狀以及鋁箔導(dǎo)電層的厚度。2.從工藝入手，改變編織的節(jié)距，找到兩者相匹配的最佳值。

　　所以，要找到提高屏蔽衰減的途徑，就要在理論的指導(dǎo)下，通過進一步的實驗摸索，最終找到合理的解決方案。

射頻同軸電纜屏蔽衰減測試方法的比較

 隨著電子通信及網(wǎng)絡(luò)的高速發(fā)展,連接電子設(shè)備內(nèi)部或電子設(shè)備之間的電纜的屏蔽性能正受到越來越多的關(guān)注。電纜具有天線效應(yīng),它既可以輻射信號,也可以接收信號。信號通過電纜輻射時,會對其它電子設(shè)備形成干擾;電纜接收電子設(shè)備發(fā)射的無用信號又會對系統(tǒng)造成干擾。隨著電子通信網(wǎng)絡(luò)中工作頻率的不斷升高,這種干擾和輻射正嚴重影響到系統(tǒng)的性能。
    為了提高電纜的抗干擾能力,減小對周圍電磁環(huán)境的污染,使用屏蔽電纜線不失為一種簡單而行之有效的方法。屏蔽電纜既可以防止電纜內(nèi)部信號的泄漏,又可以防止外部干擾信號進入電纜內(nèi)部。屏蔽電纜的屏蔽性能一般用電纜的屏蔽衰減來度量,它是表征同軸線電磁兼容性(抗干擾和防泄漏)的重要指標,定義為:
as=10 lg(Pin/Pmax) (1)
    式中Pin為注入功率,Pmax為輻射的最大功率。由于屏蔽電纜的屏蔽層多種多樣,不同的屏蔽材料和屏蔽結(jié)構(gòu),電纜的屏蔽衰減會有很大的差異。為了給工程上評定、比較、設(shè)計和使用屏蔽電纜提供準確的考依據(jù),必須對屏蔽電纜的屏蔽衰減進行測量。因此,電纜屏蔽衰減的測試技術(shù)正成為眾多研究人員關(guān)注的問題。
　　射頻同軸電纜是用于傳輸射頻信號或能量的同軸電纜的總稱。其工作頻段通常為15 kHz~20GHz,主要應(yīng)用于通信廣播、電視、微波中繼、雷達、導(dǎo)航以及遙測等領(lǐng)域。射頻同軸電纜屏蔽衰減的測試方法可分為:a.通過測量射頻同軸電纜表面轉(zhuǎn)移阻抗對其進行間接描述,三同軸法是典型的轉(zhuǎn)移阻抗測量方法;b.直接測量射頻同軸電纜的屏蔽衰減,比較常用的有功率吸收鉗法、混響室法、GTEM小室法等。在上述測試方法中,混響室法和GTEM小室法是基于場的觀點,其余的測試方法則是基于電路的觀點,且上述測試方法均已為IEC所采用。本文將闡述上述四種電纜屏蔽衰減的測試方法,并對其進行比較。2.1　三同軸法三同軸法是一種經(jīng)典的轉(zhuǎn)移阻抗測量方法。也是國際標準IEC 62153-4-3—2002電磁兼容———表面轉(zhuǎn)移阻抗(三同軸法)中的測量方法。對于電短電纜,即電纜的長度L≈(0.10~0.35)λ,其中λ為工作波長,轉(zhuǎn)移阻抗Zt定義為單位長度上由被測的屏蔽及套管形成的匹配外電路上感應(yīng)的縱向電壓U與饋入內(nèi)電路的電流I之比,即Zt=UIL(2)式中L為耦合長度,即套管內(nèi)的電纜長度。轉(zhuǎn)移阻抗是衡量外部電磁場能量透過電纜屏蔽層的特征參數(shù)。在很多情況下,特別是頻率比較低的時候(100 MHz以下),可以用轉(zhuǎn)移阻抗間接描述屏蔽電纜的屏蔽衰減,轉(zhuǎn)移抗越低,屏蔽電纜的屏蔽性能越好。

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