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在50MHz以下衰減常數(shù)偏大或超差，而高頻有余量，常常是導(dǎo)體導(dǎo)電率太低或鋁塑復(fù)合帶中的鋁基太薄所致，在頻率比較低的時(shí)候，鋁基的厚度小于或與該頻率的透射深度相當(dāng)，造成了αR過大。根據(jù)理論計(jì)算，f=50MHz時(shí)的鋁層透射深度為12.2μm。一般采取12~15μm的鋁基可以解決這個(gè)問題。（當(dāng)然，如果考慮到屏蔽衰減的要求可以再適當(dāng)加厚）
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