110KV電纜原料的問題 - 無圖版
poshanghai --- 2009-03-24 09:30:09
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最近看到國內(nèi)很多企業(yè)都上了立塔，但是國內(nèi)還沒有相應(yīng)的電纜原料，請問有沒有人介紹一下進(jìn)口料的情況，牌號，等級等等？？？
lion --- 2009-03-24 09:49:50
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ma800722 --- 2009-03-24 15:41:37
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guying8 --- 2009-03-26 14:48:47
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你大概是要做什么電纜呢?
110KV的么?
我不是做材料的,只是生產(chǎn)電纜!
轉(zhuǎn)折點(diǎn)的不是很多.但是給你粗略介紹下:
北歐化工:110KV
屏蔽LE0592S
絕緣LE4201S(LS4201已經(jīng)停用現(xiàn)在)
220KV
屏蔽:LE0500
絕緣:LE4201S
DOW公司:
110KV:屏蔽HFDB0586
絕緣:HFDJ4201S
220KV
屏蔽:HFDB9563或HFDB0801B
絕緣:HFDJ4201S
大概就這樣子
tyh --- 2009-03-29 17:18:44
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樓上的，你們110kV電纜內(nèi)外屏蔽都用HFDB0586？
poshanghai --- 2009-04-01 14:11:58
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對4樓的表示致敬。還想請教一下，生產(chǎn)時直接用4201S擠出呢，還是需要添加過氧化物進(jìn)行交聯(lián)使用呢？
dianlan021 --- 2009-04-04 02:00:05
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不論是陶氏，還是北歐他們的材料均能夠符合你們的要求。但是陶氏料的外包裝上沒有生產(chǎn)日期，這點(diǎn)可要注意的，不要到時候拿的過期料啊。
tyh --- 2009-04-08 19:09:39
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亂說，誰說陶氏料的外包裝上沒有生產(chǎn)日期，只不過用批號代替而已，你要了解各代號意義。
dianlan021 --- 2009-04-08 21:07:00
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不是那個廠家都有對照批號和日期的清單的。
mxsf1984 --- 2009-11-20 20:34:47
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陶氏化工
yjlw03 --- 2009-11-21 12:28:36
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回答六樓問題：
目前不管是國產(chǎn)的還是進(jìn)口的絕緣材料都不需要在進(jìn)行加工，直接投料使用即可！
Huilong --- 2009-11-25 15:20:13
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LG Chem： XL8080UC (Insulation)
XL2802BK(220kV shield)
XL2808BK(110KV shield)
yubingjie --- 2010-04-08 11:55:34
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daixiaobin --- 2011-04-20 16:02:55
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deepin --- 2011-04-20 17:16:31
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高壓電纜絕緣要求超凈料,屏蔽要求超光滑料。
交聯(lián)聚乙烯絕緣許多性能與它的聚集態(tài)結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。聚乙烯結(jié)晶重要特征之一是球晶，是由一系列輻射方向排列的片晶組成，球晶與球晶之間填充著非結(jié)晶的無定形物質(zhì)，交聯(lián)聚乙烯球晶達(dá)55%-75%，無定型物一般在20%以上。交聯(lián)聚乙烯中的雜質(zhì)，如水、交聯(lián)副產(chǎn)物，不能進(jìn)入球晶中，主要分布在球晶與球晶之間無定形物質(zhì)空隙的邊界上。因此，球晶的邊界是交聯(lián)聚乙烯中介電強(qiáng)度最薄弱的環(huán)節(jié)。交聯(lián)聚乙烯球晶本身的介電強(qiáng)度與球晶的直徑無關(guān)，而球晶邊界的介電強(qiáng)度隨著球晶直徑的增加很快下降。如果球晶直徑小于50μm，球晶與球晶邊界的介電強(qiáng)度兩者之比為1.4：1，當(dāng)球晶直徑大于400μm，球晶與球晶邊界的介電強(qiáng)度之比可達(dá)10：1。因此，當(dāng)交聯(lián)聚乙烯球晶直徑從20μm增加到80μm時，介電強(qiáng)度可降低1倍以上。
高壓電纜一般要求絕緣中應(yīng)無大于0.05mm的微孔；0.025-0.05mm微孔數(shù)不超過規(guī)定數(shù)量。電纜絕緣中應(yīng)無大于0.125mm的不透明雜質(zhì)；0.05-0.125mm不透明雜質(zhì)數(shù)不超過規(guī)定數(shù)量。電纜絕緣中應(yīng)無大于0.25mm的半透明深棕色雜質(zhì)。半導(dǎo)電屏蔽層與絕緣層界面應(yīng)無大于0.05mm的微孔。導(dǎo)體半導(dǎo)電屏蔽層與絕緣層界面應(yīng)無大于0.125mm進(jìn)入絕緣層的突起和大于0.125mm進(jìn)入半導(dǎo)電屏蔽層的突起。絕緣半導(dǎo)電屏蔽層與絕緣層界面應(yīng)無大于0.125mm進(jìn)入絕緣層的突起和大于0.125mm進(jìn)入半導(dǎo)電屏蔽層的突起。
bbyl1110 --- 2011-04-25 22:15:28
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感謝樓上的無私講解。
-- 結(jié)束 --