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同軸電纜的衰減與連接器有何聯系？
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同軸電纜的衰減與連接器沒有關系，電纜做成組件后的指標為插入損耗，插入損耗一般為電纜的衰減與連接器的衰減共同組成。
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同軸電纜衰減計算
高頻下同軸電纜的衰減：
α=2.61*(f*ε)^0.5*(K2*Kρ1/d+Kb*Kρ2/D)*10^(-3)/lg((D+1.
5*dw)/(K1*d))+9.10*f*ε^0.5*tgδ*10^(-5)(分貝/公里)
f： 頻率（Hz）
ε： 絕緣相對介電常數（實心PE - 2.3；PVC - 5~7；Nylon - 3.5；Paper
- 2.0~2.6；PP - 2.6；FEP - 2~2.2；空氣 - 1.0）
D： 絕緣外徑（mm）
d： 內導體直徑（mm）
tgδ： 絕緣介質損耗角正切值（空氣 - 0；PE - 0.0005；PVC - 0.05；FEP -
0.0002；Nylon - 0.009；PP - 0.0007）
K1： 內導體直徑系數
K2： 內導體衰減的絞線系數
Kb： 外導體為編織是引起高頻電阻增大的編織效應系數 = 1.5+0.083*D
Kρ1： 內導體相對于國際標準軟銅的高頻電阻增大或減小的系數
Kρ2： 外導體相對于國際標準軟銅的高頻電阻增大或減小的系數
dw： 編織用導線直徑（mm）
第一項為金屬損耗造成的衰減，第二項為介質損耗造成的衰減，頻率超過幾
兆赫時不大于總衰減的1%。
當頻率超過幾十兆赫時，導體表面發(fā)生氧化會產生一種新的損耗--視在介質
損耗，氧化層很薄（約幾微米），頻率低時（幾兆赫以下），電流透入深度（見
相關帖子）有幾十微米，電流在氧化層流通的部分較小，氧化產生的影響不大；
但頻率高于幾十兆赫時，投入深度較小，大部分電流在氧化層傳輸，氧化層的電
阻率大于導體，使衰減增大，因此要盡可能的消除金屬氧化。
公式中有些看不懂啊,其中“^”代表什么啊？
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"^"是"密'的意思
如:4^2是4的平方
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同意5樓的計算公式。電纜的衰減是導體衰減和介質衰減來組成。
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請教鋁箔+鋁鎂合金絲編織作為外導體公式里系數怎么取?
請哪位朋友指教
先謝了
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下了學習下
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cth1986:這個算起里相當麻煩，算的只是個理論衰減值,就像13樓說的那樣對研發(fā)新品還有點幫助。我用EXCEL編輯了一個簡易計算器，只需輸入相應的數據就可以算出各部分的衰減，哪天給大家共享一下。
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cth1986:這個算起里相當麻煩，算的只是個理論衰減值,就像13樓說的那樣對研發(fā)新品還有點幫助。我用EXCEL編輯了一個簡易計算器，只需輸入相應的數據就可以算出各部分的衰減，哪天給大家共享一下。
老兄，能不能分享下，順便加個好友？